| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 2Ω |
| Rated Power Dissipation: | 450|mW |
| 封装类型： | TO-92 |
| 安装方式： | Through Hole |
含税单价￥2.8000
品 牌Diodes Incorporated 期货周期N/A
| 参数 | ZVN2106G 系列 60 V 2 Ohm N-沟道 增强模式 垂直 DMOS FET- TO-92 |
| 标准包装 | 4000/袋装 |
| 数据表 | ZVN2106A PDF资料 |
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￥16.9300/件
￥3484.6200/件
￥227.2600/件
￥3.9400/件
￥3.9800/件
￥113.7900/件
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 2Ω |
| Rated Power Dissipation: | 450|mW |
| 封装类型： | TO-92 |
| 安装方式： | Through Hole |
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