| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 2Ω |
| Rated Power Dissipation: | 2|W |
| 封装类型： | SOT-223 (TO-261-4, SC-73) |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥3.9800
品 牌Diodes Incorporated 期货周期N/A
| 参数 | ZVN2106G Series 60 V 2 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET- SOT-223 |
| 标准包装 | 1000/卷盘 |
| 数据表 | ZVN2106GTA PDF资料 |
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￥3484.6200/件
￥227.2600/件
￥2.8000/件
￥3.9400/件
￥113.7900/件
￥28.8200/件
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 2Ω |
| Rated Power Dissipation: | 2|W |
| 封装类型： | SOT-223 (TO-261-4, SC-73) |
| 安装方式： | Surface Mount |
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