| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 11mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 1040|W |
| Qg Gate Charge: | 115nC |
| 封装类型： | TO-264 |
| 安装方式： | Through Hole |
含税单价￥262.2300
品 牌IXYS 期货周期48 周
| 参数 | IXTK 系列 单 N 沟道 100 V 11 mOhm 1040 W 功率 Mosfet - TO-264 |
| 标准包装 | 25/管装 |
| 数据表 | IXTK200N10L2 PDF资料 |
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￥109.6200/件
￥8.1900/件
￥9.2900/件
￥4.3253/件
￥18.7561/件
￥10.9142/件
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 11mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 1040|W |
| Qg Gate Charge: | 115nC |
| 封装类型： | TO-264 |
| 安装方式： | Through Hole |
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