| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 20V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.024Ω |
| Rated Power Dissipation: | 0.8|W |
| Qg Gate Charge: | 10.5nC |
| 封装类型： | SSOT-6 |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥2.2800
品 牌ON Semiconductor 期货周期50 周
| 参数 | N-Channel 20V 0.024 Ohm 2.5V Specified PowerTrench Mosfet |
| 标准包装 | 3000/卷盘 |
| 数据表 | FDC637AN PDF资料 |
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￥294.1100/件
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| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 20V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.024Ω |
| Rated Power Dissipation: | 0.8|W |
| Qg Gate Charge: | 10.5nC |
| 封装类型： | SSOT-6 |
| 安装方式： | Surface Mount |
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