| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 20V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 24mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 0.8|W |
| Qg Gate Charge: | 8nC |
| 封装类型： | SSOT-6 |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥1.1600
品 牌ON Semiconductor 期货周期36 周
| 参数 | N-Channel 20 V 24 mOhm 2.5V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-6 |
| 标准包装 | 3000/卷盘 |
| 数据表 | FDC637BNZ PDF资料 |
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￥6954.7900/件
￥1.6100/件
￥111.5900/件
￥2.2800/件
￥86.5000/件
￥100.1900/件
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 20V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 24mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 0.8|W |
| Qg Gate Charge: | 8nC |
| 封装类型： | SSOT-6 |
| 安装方式： | Surface Mount |
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