| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 50mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 0.8|W |
| Qg Gate Charge: | 6nC |
| 封装类型： | SSOT-6 |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥2.2800
品 牌ON Semiconductor 期货周期29 周
| 参数 | FDC658P 系列 30 V 50 mOhm 单 P 沟道 逻辑电平 PowerTrench Mosfet SSOT-6 |
| 标准包装 | 3000/卷盘 |
| 数据表 | FDC658AP PDF资料 |
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￥75.1000/件
￥129.2800/件
￥29.5895/件
￥2.0800/件
￥1.2400/件
￥380.6100/件
| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 50mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 0.8|W |
| Qg Gate Charge: | 6nC |
| 封装类型： | SSOT-6 |
| 安装方式： | Surface Mount |
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