| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 6.7mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 375|W |
| Qg Gate Charge: | 180nC |
| 封装类型： | TO-263-3 (D2PAK) |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥25.5200
品 牌Vishay 期货周期N/A
| 参数 | P-沟道 60 V 120 A 6.7 mΩ 表面贴装 汽车 Mosfet - D2PAK |
| 标准包装 | 800/卷盘 |
| 数据表 | SQM120P06-07L_GE3 PDF资料 |
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￥8.8200/件
￥12.1300/件
￥5.6700/件
￥1.1900/件
￥5.6300/件
￥1.9400/件
| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 6.7mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 375|W |
| Qg Gate Charge: | 180nC |
| 封装类型： | TO-263-3 (D2PAK) |
| 安装方式： | Surface Mount |
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