| Fet Type: | Dual N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 21mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.5|W |
| Qg Gate Charge: | 4.6nC |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥5.6700
品 牌STMicroelectronics 期货周期52 周
| 参数 | STS10DN 系列 双 N-沟道 30 V 0.019 Ohm 10 A 功率 MosFet - SOIC-8 |
| 标准包装 | 2500/卷盘 |
| 数据表 | STS10DN3LH5 PDF资料 |
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￥25.5200/件
￥12.1300/件
￥92.4400/件
￥2.6600/件
￥3.5400/件
￥5.7000/件
| Fet Type: | Dual N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 21mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.5|W |
| Qg Gate Charge: | 4.6nC |
| 安装方式： | Surface Mount |
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