| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 14mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.3|W |
| Qg Gate Charge: | 22nC |
| 封装类型： | POWER 33-8 |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥9.5300
品 牌ON Semiconductor 期货周期N/A
| 参数 | N-Channel 100 V 14 mOhm 2.3 W Power Trench MosFET |
| 标准包装 | 3000/卷盘 |
| 数据表 | FDMC86160 PDF资料 |
供应商现货库存不足，可定期货，请点击联系客服 |
￥3.3500/件
￥49.3100/件
￥1.7700/件
￥43.4800/件
￥10.4000/件
￥0.0400/件
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 14mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.3|W |
| Qg Gate Charge: | 22nC |
| 封装类型： | POWER 33-8 |
| 安装方式： | Surface Mount |
种类齐全 一站购物
正品保障 源头可溯
极速物流 在线跟踪
优质服务 省心省时
客服企业微信
400-861-9258
