| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 14mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 65|W |
| Qg Gate Charge: | 15nC |
| 封装类型： | POWER 33-8 |
| 安装方式： | Surface Mount |
含税单价￥10.4000
品 牌ON Semiconductor 期货周期N/A
| 参数 | MOSFET N-CH 100V 9A POWER33 |
| 标准包装 | 3000/卷盘 |
| 数据表 | FDMC86160ET100 PDF资料 |
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￥9.5300/件
￥1.7700/件
￥43.4800/件
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￥1.4900/件
￥13.7100/件
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 14mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 65|W |
| Qg Gate Charge: | 15nC |
| 封装类型： | POWER 33-8 |
| 安装方式： | Surface Mount |
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