含税单价￥10.4260
品 牌Infineon
| 参数 | 英飞凌 Infineon MOSFET, OptiMOS T2 系列, N沟道, 双, Si, Vds=40 V, 20 A, 8引脚 TDSON封装 |
| 标准包装 | 每包:20个 |
| 数据表 | IPG20N04S4L08ATMA1 PDF资料 |
供应商现货库存不足，可定期货，请点击联系客服 |
￥20.2700/件
￥1087.3500/件
￥5.6700/件
￥1.7600/件
￥15.7900/件
￥291.9300/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 20 A |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 封装类型 | TDSON |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 10.9 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.2V |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V |
| 最大功率耗散 | 54 W |
| 晶体管配置 | 隔离式 |
| 最大栅源电压 | -16 V、+16 V |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 长度 | 5.15mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 30 nC @ 10 V |
| 高度 | 1mm |
| 宽度 | 6.15mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 系列 | OptiMOS T2 |
| 最低工作温度 | -55 °C |
种类齐全 一站购物
正品保障 源头可溯
极速物流 在线跟踪
优质服务 省心省时
客服企业微信
400-861-9258
