| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 12 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | SOIC |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 10 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 2.5 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 4mm |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 高度 | 1.5mm |
| 系列 | PowerTrench |
| 长度 | 5mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 典型栅极电荷@Vgs | 34 nC @ 10 V |
含税单价￥9.3200
品 牌ON Semiconductor
| 参数 | ON Semiconductor MOSFET, PowerTrench 系列, N沟道, Si, Vds=60 V, 12 A, 8引脚 SOIC封装 |
| 标准包装 | 在毎卷：2500 |
| 数据表 | FDS5672 PDF资料 |
供应商现货库存不足，可定期货，请点击联系客服 |
￥357.3400/件
￥357.3400/件
￥357.3400/件
￥357.3400/件
￥357.8500/件
￥8.6700/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 12 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | SOIC |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 10 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 2.5 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 4mm |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 高度 | 1.5mm |
| 系列 | PowerTrench |
| 长度 | 5mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 典型栅极电荷@Vgs | 34 nC @ 10 V |
种类齐全 一站购物
正品保障 源头可溯
极速物流 在线跟踪
优质服务 省心省时
客服企业微信
400-861-9258
