含税单价￥0.7600
品 牌DiodesZetex
| 参数 | DiodesZetex MOSFET, N沟道, Si, Vds=12 V, 1.4 A, 3引脚 X1-DFN1006封装 |
| 标准包装 | 在毎卷：10000 |
| 数据表 | DMN1150UFB-7B PDF资料 |
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￥2.1200/件
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| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 1.4 A |
| 最大漏源电压 | 12 V |
| 封装类型 | X1-DFN1006 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 210 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 1V |
| 最大功率耗散 | 500 mW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -6 V、+6 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 高度 | 0.48mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 1.08mm |
| 宽度 | 0.675mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1.5 nC @ 4.5 V |
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