| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 5.1 A |
| 最大漏源电压 | 12 V |
| 封装类型 | SOT-23 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 35 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V |
| 最大功率耗散 | 1250 mW |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 长度 | 3.04mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 15 nC @ 4.5 V，9 nC @ 2.5 V |
| 高度 | 1.02mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 宽度 | 1.4mm |
| 最低工作温度 | -55 °C |
含税单价￥2.8500
品 牌威世
| 参数 | 威世 MOSFET 晶体管, P沟道, Vds=12 V, 5.1 A, 3引脚 SOT-23封装 |
| 标准包装 | 每包:10个 |
| 数据表 | SI2333CDS-T1-GE3 PDF资料 |
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￥11167.0000/件
￥9.9100/件
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￥305.5100/件
￥5902.0000/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 5.1 A |
| 最大漏源电压 | 12 V |
| 封装类型 | SOT-23 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 35 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V |
| 最大功率耗散 | 1250 mW |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 长度 | 3.04mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 15 nC @ 4.5 V，9 nC @ 2.5 V |
| 高度 | 1.02mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 宽度 | 1.4mm |
| 最低工作温度 | -55 °C |
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