含税单价￥7.0400
品 牌德州仪器
| 参数 | 德州仪器 MOSFET, NexFET 系列, N沟道, Si, Vds=40 V, 75 A, 8引脚 SON封装 |
| 标准包装 | 在毎卷：2500 |
| 数据表 | CSD18504Q5A PDF资料 |
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￥305.5100/件
￥2.8500/件
￥5902.0000/件
￥11.3000/件
￥189.9200/件
￥24908.0000/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 75 A |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 封装类型 | SON |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 9.8 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.4V |
| 最小栅阈值电压 | 1.5V |
| 最大功率耗散 | 3.1 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
| 高度 | 1.1mm |
| 宽度 | 5mm |
| 系列 | NexFET |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 5.8mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 7.7 nC @ 4.5 V |
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