| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 2.2 A |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 封装类型 | TO-220AB |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 4.4 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 50 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 4.7mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 10.41mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 18 nC @ 10 V |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 高度 | 9.01mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
含税单价￥14.3300
品 牌Vishay
| 参数 | Vishay MOSFET, N沟道, Si, Vds=600 V, 2.2 A, 3引脚 TO-220AB封装 |
| 数据表 | IRFBC20PBF PDF资料 |
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￥5.0800/件
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| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 2.2 A |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 封装类型 | TO-220AB |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 4.4 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 50 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 4.7mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 10.41mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 18 nC @ 10 V |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 高度 | 9.01mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
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