含税单价￥14.7500
品 牌Texas Instruments
| 参数 | Texas Instruments MOSFET, NexFET 系列, N沟道, Si, Vds=30 V, 215 A, 8引脚 VSON封装 |
| 标准包装 | 在毎卷：2500 |
| 数据表 | CSD17556Q5B PDF资料 |
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￥136.3700/件
￥10.1800/件
￥14.3300/件
￥5.3800/件
￥1030.6700/件
￥1.7800/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 215 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 封装类型 | VSON |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 1.8 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 1.65V |
| 最小栅阈值电压 | 1.15V |
| 最大功率耗散 | 3.1 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 宽度 | 5.1mm |
| 高度 | 1.05mm |
| 系列 | NexFET |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 6.1mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 典型栅极电荷@Vgs | 30 nC @ 4.5 V |
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