| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 5 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 封装类型 | SOT-26 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 6 |
| 最大漏源电阻值 | 65 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.1V |
| 最大功率耗散 | 1.25 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 1.7mm |
| 长度 | 3.1mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 高度 | 1.3mm |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 21.1 nC @ 10 V |
含税单价￥1.8100
品 牌DiodesZetex
| 参数 | DiodesZetex MOSFET, P沟道, Si, Vds=30 V, 5 A, 6引脚 SOT-26封装 |
| 标准包装 | 在毎卷：3000 |
| 数据表 | DMP3056LDM-7 PDF资料 |
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￥2.5500/件
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￥5.7300/件
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| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 5 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 封装类型 | SOT-26 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 6 |
| 最大漏源电阻值 | 65 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.1V |
| 最大功率耗散 | 1.25 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 1.7mm |
| 长度 | 3.1mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 高度 | 1.3mm |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 21.1 nC @ 10 V |
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