含税单价￥9.9300
品 牌Vishay
| 参数 | Vishay MOSFET, N沟道, Si, Vds=100 V, 4.3 A, 3引脚 IPAK (TO-251)封装 |
| 标准包装 | 每包:10个 |
| 数据表 | IRFU110PBF PDF资料 |
| 数量 | +- 库存：50个 交期6-9工作日 |
| 递增 | 起订10 递增倍数10 |
￥88.9813/件
￥14.0100/件
￥28.3000/件
￥202.7900/件
￥4.0000/件
￥37.6400/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 4.3 A |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 封装类型 | IPAK (TO-251) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 540 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 25000 mW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 高度 | 6.22mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 宽度 | 2.38mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 6.73mm |
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