含税单价￥29.7200
品 牌Infineon
| 参数 | 英飞凌 Infineon MOSFET, HEXFET 系列, N沟道, Si, Vds=75 V, 170 A, 3引脚 TO-220AB封装 |
| 数据表 | IRFB3207ZPBF PDF资料 |
供应商现货库存不足，可定期货，请点击联系客服 |
￥8.1500/件
￥10.8800/件
￥1364.0000/件
￥35.7500/件
￥1.5900/件
￥682.5520/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 170 A |
| 最大漏源电压 | 75 V |
| 封装类型 | TO-220AB |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 4 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 300 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 系列 | HEXFET |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 10.66mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 120 nC @ 10 V |
| 高度 | 9.02mm |
| 宽度 | 4.82mm |
种类齐全 一站购物
正品保障 源头可溯
极速物流 在线跟踪
优质服务 省心省时
客服企业微信
400-861-9258
