含税单价￥4.5900
品 牌STMicroelectronics
| 参数 | STMicroelectronics MOSFET, MDmesh K3, SuperMESH3 系列, N沟道, Si, Vds=600 V, 1.2 A, 3引脚 DPAK (TO-252)封装 |
| 标准包装 | 在毎卷：2500 |
| 数据表 | STD1HN60K3 PDF资料 |
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￥34.1200/件
￥24.3500/件
￥55.5100/件
￥2.4500/件
￥8.5100/件
￥3.5400/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 1.2 A |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 8 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 27 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 6.2mm |
| 高度 | 2.4mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 9.5 nC @ 10 V |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 6.6mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 系列 | MDmesh K3, SuperMESH3 |
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