| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 17 A |
| 最大漏源电压 | 25 V |
| 封装类型 | Power 33 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 7.5 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V |
| 最大功率耗散 | 52 W |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 高度 | 1.05mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 20 nC @ 10 V，9.5 nC @ 4.5 V |
| 长度 | 3.3mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 宽度 | 3.3mm |
含税单价￥24.2100
品 牌Fairchild Semiconductor
| 参数 | Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管, N沟道, Vds=25 V, 17 A, 8引脚 Power 33封装 |
| 标准包装 | 每包:2个 |
| 数据表 | FDMC7582 PDF资料 |
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￥2.4500/件
￥8.5100/件
￥4.5900/件
￥3.5400/件
￥50.7800/件
￥20.0000/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 17 A |
| 最大漏源电压 | 25 V |
| 封装类型 | Power 33 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 7.5 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V |
| 最大功率耗散 | 52 W |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 高度 | 1.05mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 20 nC @ 10 V，9.5 nC @ 4.5 V |
| 长度 | 3.3mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 宽度 | 3.3mm |
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