| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 5.3 A |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 封装类型 | WLCSP |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 6 |
| 最大漏源电阻值 | 55 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 1V |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V |
| 最大功率耗散 | 1.9 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 12 nC @ 4.5 V |
| 宽度 | 1.5mm |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 长度 | 1mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 高度 | 0.65mm |
含税单价￥17.1900
品 牌Fairchild Semiconductor
| 参数 | Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管, N沟道, Vds=20 V, 5.3 A, 6引脚 WLCSP封装 |
| 数据表 | FDZ192NZ PDF资料 |
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￥20.0000/件
￥6.7300/件
￥9.8600/件
￥7.0100/件
￥51.3600/件
￥1.8400/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 5.3 A |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 封装类型 | WLCSP |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 6 |
| 最大漏源电阻值 | 55 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 1V |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V |
| 最大功率耗散 | 1.9 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 12 nC @ 4.5 V |
| 宽度 | 1.5mm |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 长度 | 1mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 高度 | 0.65mm |
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