含税单价￥1.8400
品 牌ON Semiconductor
| 参数 | ON Semiconductor MOSFET, N/P沟道沟道, 双, Si, Vds=25 V, 220 mA，410 mA, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装 |
| 标准包装 | 在毎卷：3000 |
| 数据表 | FDG6322C PDF资料 |
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￥9.8600/件
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￥1.6900/件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N，P |
| 最大连续漏极电流 | 220 mA，410 mA |
| 最大漏源电压 | 25 V |
| 封装类型 | SOT-363 (SC-70) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 6 |
| 最大漏源电阻值 | 1.9 Ω、7 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 0.65V |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 晶体管配置 | 隔离式 |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 晶体管材料 | Si |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 高度 | 1mm |
| 宽度 | 1.25mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 2mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 0.29 nC @ 4.5 V，1.1 nC @ 5 V |
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