| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 77 A |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 封装类型 | DPAK |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.009 o |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | ? 20V |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 系列 | HEXFET |
含税单价￥13.2700
品 牌Infineon
| 参数 | 英飞凌 Infineon MOSFET 晶体管 + 二极管, HEXFET 系列, N沟道, 双, Vds=40 V, 77 A, 3引脚 DPAK封装 |
| 标准包装 | 每包:10个 |
| 数据表 | IRFR3504ZTRPBF PDF资料 |
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￥7.5200/件
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| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 77 A |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 封装类型 | DPAK |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.009 o |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | ? 20V |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 系列 | HEXFET |
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